Articles

Институт химии поверхности им. А.А.Чуйко НАН Украины в соответствии с приказом МОН Украины от 07.07.2017 г.. № 145-л получил лицензию на продолжение образовательной деятельности на третьем образовательно-научном уровне высшего образования для подготовки соискателей высшего образования степени доктора философии и доктора наук по специальностям:

102 «химия» специализации «физическая химия,  химия поверхности»

105 «прикладная физика и наноматериалы» специализации «физика  поверхности, физика наноразмерных твердых тел».

Положение о аспирантуре

Прием документов в аспирантуру проводится до 10 сентября 2021 года, а зачисление - 1 ноября 2021 года. 

В аспирантуру на конкурсной основе принимаются лица, имеющие высшее образование и квалификацию специалиста или магистра. Лицензированный объем составляет 10 человек по каждой специальности при приеме в аспирантуру Института.

На срок обучения аспиранты обеспечиваются общежитием.

Поступающие сдают такие экзамены:

1. Специальность (в объеме учебной программы для специалиста или магистра, которая соответствует выбранной научной специальности).
2. Иностранный язык на выбор (английский, немецкий, испанский, итальянский, французский) в объеме учебных программ для высших учебных заведений.
3. Презентация исследовательского предложения по выбранной научной специальности

Перечень документов, которые подаются для поступления в аспирантуру:

1. Заявление на имя директора Института  (Образец)

2. Копия диплома магистра (специалиста) с приложениями об окончании высшего учебного заведения с указанием полученной квалификации;

3. Копия военно-учетного документа - для военнообязанных (кроме случаев, предусмотренных законодательством);

4. Личный листок по учету кадров с фотографией, заверенный отделом кадров Института;

5. Медицинская справка о состоянии здоровья по форме №86/о

6. Копию сертификата тестов по иностранному языку уровня не ниже В2 (при наличии);

7. Ксерокопия публикаций по специальности (при наличии) и документов на изобретения (при наличии);

8. Исследовательское предложение по выбранной специализации, в которой обосновывается выбор тематики будущей диссертационной работы, подготовленную в соответствии с требованиями;

9. Копии опубликованных научных статей или научный реферат (20‒25 стр.) по выбранной специальности.

10. Три цветные фотографии размером 3х4 см;

Примечание: При подаче заявления поступающий в аспирантуру предъявляет лично оригиналы следующих документов:

1. Паспорт и диплом о высшем образовании подаются абитуриентом лично.

2. Военный билет или удостоверение о приписке - для военнообязанных;

3. Документ государственного образца о полученном образовательном (образовательно-квалификационном) уровне, на основе которого осуществляется поступление, и приложение к нему

Аспиранты, обучающиеся в аспирантуре Института, имеют возможность публиковать результаты своих исследований в научном периодическом издании "ХИМИЯ, ФИЗИКА И ТЕХНОЛОГИЯ ПОВЕРХНОСТИ", сборнике научных трудов «Поверхность».

В Институте ежегодно проводятся научные конференции с участием аспирантов и молодых ученых, тезисы которых публикуются отдельными изданиями.

 ПРАВИЛА ПРИЕМА в аспирантуру и докторантуру Института химии поверхности им. А.А. Чуйко НАН Украины на 2021

 НАУЧНО-ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО ПРОГРАММА по подготовке доктора философии_специальнисть 102 ХИМИЯ

 НАУЧНО-ОБРАЗОВАТЕЛЬНОГО ПРОГРАММА по подготовке доктора философии_специальнисть 105 ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ И НАНОМАТЕРИАЛОВ

Программа вступительных экзаменов.

 102 «химия» специализации «физическая химия, химия поверхности»

 105 «прикладная физика и наноматериалы» специализации «физика поверхности, физика наноразмерных твердых тел».

Анкеты для опроса аспирантов

По всем вопросам обращаться:

Институт химии поверхности им. А.А. Чуйко НАН Украины

ул. Генерала Наумова, 17

Киев 03164 Украина

(корпус 2, комн. 520)

Ответственная за аспирантуру:   Сулим Ирина Ярославовна кандидат химических наук, старший исследователь   Телефон: (+380-66) 956-96-52 Телефон: (+380-44) 422-96-72 Факс: (+380-44) 424-35-67 E-mail: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.