small isc logo

Chuiko Institute of Surface Chemistry

National Academy of Sciences of Ukraine
(official site)

Collection of scientific papers “Surface”

Лабораторія епітаксійних наноструктурних систем

 

Завідувач лабораторії

Козирєв ЮрійМиколайович

кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник

Телефон: + 380 44 525-09-30

Факс: + 380 44 424-35-67

E-mail: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

 

В лабораторії працює 5 спеціалістів, серед них 3 кандидати наук, один провідний інженер та один технік. Співробітниками підрозділу опубліковано понад 30 наукових праць, захищено 1 кандидатська дисертація.

 

Напрямки досліджень

Структурна модифікація нанорозмірних багатошарових систем оптимізацією параметрів епітаксійного росту з метою розширення впливу міжзонних переходів на фоточутливість та фотоперетворення дослідних зразків.

Дослідження методами атомно-силової мікроскопії морфології експериментально отриманих зразків, їх електричних та оптичних властивостей. Аналіз дослідних даних для підготовки макетних зразків із заданими параметрами спектральних характеристик ансамблями квантових точок германію на грані Si(001).

 

Основні результати за останні роки

В структурах з нанокластерами (НК) Ge, які вирощені на шарі оксиду кремнію при низьких температурах, встановлено існування двох оптично індукованих усталених станів з більш високими і більш низькими значеннями поверхневої провідності, в порівнянні з рівноважним станом. Результат фотоіндукованих змін залежить від енергії фотонів із-за різних типів електронних переходів, які мають місце в Ge-НК/SiO2/Si структурах. Залишкова фотопровідность спостерігається після збудження електрон-діркових пар в Si(001) підкладинки при міжзонному поглинанні в Si (рис. 1).

Доведено, що надлишкова провідність обумовлена просторовим розділенням носіїв струму макроскопічними полями в збідненому приповерхневому шарі Si. Міжзонні переходи в НК Ge створюють локалізовані дірки безпосередньо в Ge, що призводить до оптично індукованого просторового перерозподілу захоплених позитивних зарядів між рівнями міжфазної границі SiO2/Si і локалізованих станів НК Ge, які підвищують зміну електростатичного потенціалу в підкладинці Si і, отже, зменшення поверхневої провідності при стаціонарному фотозбудженні. Отримані результати показують, що дірка захоплена на НК Ge і міжфазними станами, має значний вплив на поверхневий транспорт в структурах Ge-НК/SiO2/Si. Встановлена можливість оптичного контролю перемикання між різними режимами системи провідності, яка може бути використана для конструкції пристроїв оптичної пам'яті (рис. 2).

Рис. 1. Спектри латеральної фотопровідності при 50 К: гетероструктур з НК Ge на поверхні SiOx (крива 1); структури з НК Ge, модифікованої осадженням Si (крива 2); структури з шаром Si товщиною 25 нм осадженим на верхній частині НК Ge (крива 3).

 

Рис. 2. Зонна діаграма структури Ge-НК/SiO2/Si. Стрілками показані міжзонні електронні переходи в с-Si і НК Ge (а); коливання електростатичного заряду в площині поверхні р-Si підкладинки (б).

 

Співробітники лабораторії

Козирєв Юрій Миколайович, кандидат фізико-математичних наук,

провідний науковий співробітник, тел.:+380(44) 5250930;

e-mail: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

Варавка Олена Володимирівна, технік, тел.:+380(44) 4229660

Сидоренко Інна Григорівна, кандидат хімічних наук, старший науковий

співробітник, тел.:+380(44) 4229660; e-mail:   This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

Скляр Василь Костянтинович, кандидат фізико-математичних наук,

науковий співробітник, тел.:+380(44) 5250930

 

Публікації останніх років

 

1. V.S. Lysenko, Y.V. Gomeniuk, S.V. Kondratenko, Ye.Ye. Melnichuk, Y.N. Kozyrev, C. Teichert Transport and photoelectric effects in structures with Ge and SiGe nanoclusters grown on oxidized Si (001) // Advanced Materials Research. – 2014. – T. 854, №11. – C. 11-19.

2. N.P. Garbar, V.N. Kudina, V.S. Lysenko, S.V. Kondratenko, Y.N. Kozyrev Effect of Ge-nanoislands on the low-frequency noise in Si/SiOx/Ge structures // Advanced Materials Research. – 2014. – T. 854, №21. – P. 21-27.

3. A.A. Mykytiuk, S.V.Kondratenko, V.S. Lysenko, Yu.N. Kozyrev Photocurrent spectroscopy of Ge nanoclusters grown on oxidized silicon surface // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. – 2014. – Vol. 9126: Nanophotonics. – P. 212-216.

4. V.S. Lysenko, S.V.Kondratenko, Yu.N. Kozyrev Photoexcitation and Recombination of Charge Carriers in Si/Ge Nanoheterostructures // Book chapter 19 in “Functional Nanomaterials and Devices for Electronics, Sensors and Energy Harvesting Engineering Materials” . - Springer International Publishing Switzerland, 2014. - Р.417-444.

5. Ю.Н.Козырев, М.Ю.Рубежанская, С.В.Кондратенко, Е.Е.Мельничук, В.К.Скляр, В.С.Лысенко. Новые гетероструктуры с нанокластерами Ge на поверхности SiOx высокой плотности: эффект оптической памяти и увеличения фоточувствительности // Наноструктурные системы и материалы: исследования в Украине. - Академпериодика, 2014. – С.198-202.

6. Ye.Ye. Melnichuk, S.V.Kondratenko, Yu. V. Hyrka, Yu.N.Kozyrev, V.S.Lysenko Photoconductivity mechanism in structures with Ge-nanoclusters grown on /Si(100) surface // Semiconductors Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics.– 2014.– v.17, №4.– P.331-334.

7. В.С. Лисенко, С.В. Кондратенко, Ю.Н. Козирев, М.Ю. Рубежанська, В.П. Кладько, Ю.В. Гоменюк, О.Й. Гудименко, Є.Є. Мельничук, G. Grenet, N.B. Blanchard. Морфологія та оптичні властивості нанокластерів Ge на окисленій поверхні Si(001) // УФЖ.- 2012.- Т. 57, № 11. - С.1132-1140.

Новини


 

 

 Про результати виборів

02 липня 2024 року в Інституті хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України відбулися Збори колективу наукових працівників, присвячені виборам директора Інституту. В Національну академію наук України надійшли документи від одного претендента, а саме від заступника директора з наукової роботи Інституту, чл.-кор. НАН України В.В. Турова. Саме його кандидатура брала участь у виборах.

Станом на 02 липня 2024 року фактична штатна чисельність наукових працівників Інституту становила 123 особи. Загальні Збори наукових працівників виключили на час проведення Зборів 23 працівників зі списків виборців відповідно до їх заяв у зв’язку з перебуванням закордоном. Таким чином, на час проведення виборів фактична штатна чисельність наукових працівників Інституту становила 100 осіб. На Зборах колективу наукових працівників зареєструвалося 87 осіб, що становить 87%. Тобто Збори є правочинними обирати директора Інституту.

Для проведення таємного голосування було виготовлено 123 бюлетені, участь в голосуванні взяло 87 наукових працівників, в урні виявлено 87 бюлетенів, залишилося нерозданими 36 бюлетені, які були погашені.

За кандидатуру В.В. Турова проголосувало 82 особи, проти – 5 осіб, недійсних бюлетенів – 0.

Для обрання керівника (директора) Інституту хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України необхідно, щоб згідно п. 3.12.4. Статуту НАН України кандидат на посаду директора набрав не менше 2/3 голосів виборців, тобто 58 голоси, або більше 1/2 голосів, коли за кандидата проголосувало менше 2/3 виборців, тобто більше 44 голоси.

Таким чином, ТУРОВ Володимир Всеволодович вважається обраним на посаду директора Інституту хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України

Голова Оргкомітету,
 головуючий на Зборах А.М. Дацюк,

Секретар Оргкомітету, секретар Зборів О.О. Казаков


 


 

clipboard-list-outlineONLINE ТРАНСЛЯЦІЯ виборів директора Інституту хімії поверхні ім. О.О.Чуйка НАН України

 


 

 

clipboard-list-outlineОголошення щодо виборів директора Інституту хімії поверхні ім. О.О.Чуйка НАН України 2 липня 2024 року

 

Read more...

 

clipboard-list-outlineПрограма кандидата на обрання директором ІХП ім. О.О. Чуйка НАН України чл.-кор. НАН України, д.х.н., проф. В.В.Турова

 

Read more...

 

Шановні наукові співробітники!


За попереднім узгодженням з Відділенням хімії НАН України, враховуючи терміни, визначені законодавством для проведення керівників державних наукових установ, 02 липня 2024 року відбудуться вибори директора Інституту хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України.


Згідно з порядком проведення виборів, участь у виборах можуть брати усі наукові працівники, незважаючи на відпустки, декретні відпустки, відпустки за свій рахунок і т.п.

Голосувати можна і під час лікарняного, якщо стан вашого здоров'я дозволяє це.


Онлайн голосування на виборах директора законодавство НЕ ПЕРЕДБАЧАЄ, тобто участь у голосуванні можна взяти лише особисто, будучи присутнім 02.07.2024 року в Інституті.


Зважаючи на літній період, потенційні ваші відпустки, адміністрація Інституту просить спланувати свій час так, щоб ви 02.07.2024 року могли забезпечити кворум та взяти участь у виборах директора.


Read more...

Conferences

 

Ukrainian conference with international participation 

"CHEMISTRY, PHYSICS AND TECHNOLOGY OF SURFACE"

 

 

29-30 May, 2024, Kyiv

 

clipboard-list-outlineCONFERENCE PROGRAM

clipboard-list-outlinePOSTER SESSION ONLINE

clipboard-list-outlineBOOK of ABSTRACTS

clipboard-list-outlineONLINE BROADCAST (29 May)

clipboard-list-outlineONLINE BROADCAST (30 May)

clipboard-list-outlineZoom invitation link
 

Zoom Instruction Zoom Instruction

clipboard-list-outlineDiscord invitation link

Discord Instruction Discord Instruction

38967Photo

 

  

Read more...

Спільне звернення НАН і МОН

Спільне звернення Міністерства освіти і науки України, Національної академії наук України, народних депутатів до міжнародної наукової спільноти

download-pdf-icon

Реєстр наукових фахових видань України

Покажчик друкованих праць